Hostname: page-component-8448b6f56d-m8qmq Total loading time: 0 Render date: 2024-04-16T19:22:11.380Z Has data issue: false hasContentIssue false

Morphology of Self-Assembled InAs Quantum Dots on GaAs(001).

Published online by Cambridge University Press:  21 March 2011

F. Arciprete
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
F. Patella
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
M. Fanfoni
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
S. Nufris
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
E. Placidi
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
D. Schiumarini
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
A. Balzarotti
Affiliation:
Dipartimento di Fisica, Università di Roma “Tor Vergata”, and Istituto Nazionale per la Fisica della Materia, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy
Get access

Abstract

We have followed by Atomic Force Microscopy (AFM) the epitaxial growth of InAs on GaAs(001) starting from the initial formation of a strained two-dimensional wetting layer up to the self-assembled nucleation and growth of 3D nanoparticles. In this work we underline many aspects of the morphology of this system, which substantiate the role either of kinetics on thermodynamics in the process of growth as well as the role of surface instabilities in controlling lateral ordering of the nanoaggregates.

Type
Research Article
Copyright
Copyright © Materials Research Society 2002

Access options

Get access to the full version of this content by using one of the access options below. (Log in options will check for institutional or personal access. Content may require purchase if you do not have access.)

References

REFERENCES

1. Daruka, I. and Barabasi, A.L., Phys. Rev. Lett. 79, 3708 (1997).Google Scholar
2. Joyce, P.B., Krzyzewski, T.J., Bell, G.R., Joyce, B.A., Jones, T.S., Phys. Rev. B 58, R15981 (1998).Google Scholar
3. Patella, F., Fanfoni, M., Arciprete, F., Nufris, S., Placidi, E., and Balzarotti, A., Appl. Phys. Lett. 78, 320 (2001).Google Scholar
4. Bales, G.S. and Zangwill, A., Phys. Rev. B 41, 5500 (1990),Google Scholar
5. Johnson, M.D., Orme, C., Hunt, A.W., Graff, D., Sudijono, J., Sander, L.M., and Orr, B.G., Phys. Rev. Lett. 72, 116 (1994); M.Rost, P.Smilauer, J.Krug, Surf. Sci. 369, 393 (1996).Google Scholar
6. Kandel, D. and Dweeks, J., Phys. Reb. B 49, 5554 (1994),Google Scholar
7. Patella, F., Arciprete, F., Placidi, E. Nufris, S., Fanfoni, M., and Balzarotti, A., to be published.Google Scholar
8. Horikoshi, Y., Kawashima, M., 1989, J. of Crystal Growth 95, (1989) 17; Y. Horikoshi, Semicond. Sci. Technol. 8, 1032 (1993).Google Scholar
9. Belk, J.G., Sudijono, J.L., Zhang, X.M., Neave, J.H., Jones, T.S., Joyce, B.A., Phys. Rev. Lett. 78, 475 (1997).Google Scholar
10. Belk, J.G., McConville, C.F., Sudijono, J.L., Jones, T.S., Joyce, B.A., Surf. Sci. 387, 213 (1997).Google Scholar
11. Arciprete, F., Balzarotti, A., Fanfoni, M., Motta, N., Patella, F., and Sgarlata, A., in Recent Res. Devel. Vacuum Sci. & Tech., edited by Transworld Research Network, India, 2001, vol 3, p. 71.Google Scholar
12. Barabasi, A.L., Appl. Phys. Lett. 70, 2565 (1997).Google Scholar
13. Venables, J.A., Spiller, G.D.T., Hanbücken, M., Rep. Prog. Phys. 47, 399 (1984).Google Scholar